纳米银性能介绍及研究进展

 

  从上个世纪80年代开端，纳米银已经被许多学者及安排研讨。在电子封装范畴，纳米银的运用研讨稍晚。

 

  SEMIKRON公司采用纳米银烧结技术替代传统的Bongding技术制作出了IGBT模块，如图2和图3所示所示。运用纳米银浆烧结技术后，不但组件的散热问题，一同使组件的可装性和可靠性大幅度提高。

微系统的功用、集成工艺、运用及开展等决定于构成微系统的各类材料，这类材料包括半导体材料、封装基板材料、绝缘材料、导体材料、键合联接材料、封装材料等。运用纳米科技对微系统产品所用的材料进行改进，无疑会改进微系统的功用。微系统集成技术的前进与微系统封装材料的开展是严密相关的。

 

  材料科学实验证明，当材料颗粒抵达纳米级时，其具有很高的外表活性和外表能，这使得纳米颗粒的熔点或者说烧结温度远低于块体材料。但其烧结后构成的材料具有和块体材料相似的熔点和功用。这就使其在微系统集成范畴具有很宽广的运用远景。

 

  因金属银具有很高的热导率、出色的导电性、抗腐蚀性及抗蠕变功用，且在执役过程中不存在固态老化现象。特别适合作为大功率产品的组装材料。使得在许多的纳米材料中，纳米银成为研讨比较抢手的封装材料。

 

  纳米银的首要特性之一就是低温烧结，高温执役。其烧结温度可低至150℃，乃至室温，再次熔化温度理论上可抵达960℃。这种特性关于复杂微系统产品集成具有明显优势，特别是在多级组装时，不再受温度梯度的影响。能够说对微系统产品的集成工艺开展具有跨年代的含义。