覆铜陶瓷基板领域取得突破性研究进展

 

  陶瓷覆铜板是高压大功率IGBT模块的重要组成部件，其具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度、低胀大等特性，又兼具无氧铜的高导电性和优异焊接性能，且能像PCB线路板相同刻蚀出各种图形。特别是活性金属钎焊（Active Metal Bonding，AMB）陶瓷覆铜板具有共同的耐高低温冲击失效才干，已成为新一代半导体（SiC）和新式大功率电力电子器件的首选封装材料。由于高压大功率IGBT模块对封装材料的散热性、可靠性、载流量等要求更高，国内相关技术水平落后导致国内相关商场被欧、美、日等国家所独占。

 

  近期，在活性金属钎焊（AMB）陶瓷覆铜基板工程化制作领域取得突破，在国内首先研发成功大面积（4.5”*4.5”）氮化铝覆铜基板。项目组在研发进程中先后突破了高精度钎料涂覆技术，建立了降低焊接应力的理论，实现了高纯度焊接和焊接层安排精密控制等工艺进程，通过重复优化，终究成功制作出低应力、高可靠性、大面积覆铜基板。由于其在军用功率电子和车辆电子等领域的特别地位，掌握了中心技术的日本、德国等少数发达国家对我国进行了严厉的技术封锁，本作用的取得为我国新一代半导体的研讨与发展奠定了坚实的根底，具有里程碑的意义。