先进封装材料在电子领域的应用现状如何？

先进封装材料在电子领域应用广泛，且随着电子技术发展，其重要性日益凸显，以下是其应用现状：
- 应用领域广泛：
- 高性能计算与人工智能：AI和高性能计算对芯片性能要求极高，先进封装材料助力实现多芯片异构集成。如2.5D封装运用硅转接板（Interposer） ，通过硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）等技术，让数据传输带宽提升5 - 10倍，满足了高带宽、低延迟、高能效的需求。头部厂商已能实现中介层线宽/线距≤1μm的精密加工，以支撑HBM存储与逻辑芯片协同工作。
- 消费电子：在手机、电脑等产品中，先进封装材料实现小型化、高性能目标。晶圆级封装（WLP）使芯片尺寸与封装尺寸接近，减小产品体积；系统级封装（SiP）将多种功能芯片及元件集成在一个封装内，提升产品性能与集成度。
- 汽车电子：汽车智能化、电动化发展，先进封装材料用于发动机控制系统、车载娱乐系统等。例如长电科技优化异构集成技术，在车载芯片封装领域取得突破；AMB覆铜陶瓷基板凭借高导热、高绝缘性，满足汽车电子高可靠性要求。
- 通信领域：5G通信设备对信号传输要求严格，先进封装材料可减少信号损耗与延迟。倒装芯片（FC）互连缩短信号传播路径，提升通信设备信号处理能力 ；新型基板材料具备高频高速特性，满足5G通信高频信号传输需求。
- 市场规模增长：随着AI、HPC及自动驾驶技术迭代，半导体行业对高性能封装的需求激增。Yole预测，2023 - 2029年全球先进封装市场规模复合增长率（CAGR）将达10.7%，其中2.5D/3D封装增速最快，高端封装市场CAGR更高达37% ，推动全球先进封装资本开支从2023年的99亿美元增至2024年的115亿美元。
- 技术创新推动 ：
- 互连工艺升级：凸块（bumping）、重布线（rdl）、硅通孔（tsv）、混合键合等互连工艺不断升级。凸块间距不断缩小，行业朝着20μm推进，巨头已实现小于10μm间距；混合键合（hb）铜对铜连接技术可实现更小间距（10μm以下）和更高凸点密度（10000个/mm2 ） ，并提升带宽和降低功耗。
- 材料性能优化：开发出高导热、低膨胀系数、高绝缘性材料。如烧结银具高导电性、导热性，用于功率器件提升散热与可靠性 ；AMB覆铜陶瓷基板结合陶瓷与铜的优势，应用于高功率电子器件。
- 企业积极布局 ：
- 国际巨头：台积电、三星、英特尔、日月光等加大先进封装领域投资。台积电计划新建多座CoWoS工厂；三星扩大生产设施并建设研发实验室和新封装工厂；英特尔扩容封装测试基地；日月光投入40亿美元扩展封装技术，聚焦SiP和3D封装。
- 国内厂商：长电科技、通富微电、华天科技等明确加大先进封装投资。长电科技的XDFOI Chiplet技术已量产，通富微电在高密度扇出型封装领域实现量产 ，国内基板材料厂商开发出介电常数≤3.5的高频高速基板。
- 面临一定挑战：尽管先进封装材料应用前景广阔，但也面临技术难题。如2.5D/3D封装存在TSV填充良率、热应力控制问题；TGV技术面临基板脆、加工难、良率低、产业链成本高等挑战。