关键材料 芯片：IGBT 芯片是核心部件，其性能（如耐压、耐流、开关速度等 ）直接决定 IGBT 模块的整体性能。高质量的芯片需要先进的半导体制造工艺和优质的半导体材料（如硅片 ）。 基板材料：如前面提到的 AMB 覆铜陶瓷基板、DBC 基板等。AMB 覆铜陶瓷基板通过活性金属钎焊工艺将铜箔与陶瓷牢固结合，具有高导热性、高绝缘性和良好的机械强度；DBC 基板则是通过高温熔合工艺将铜箔与陶瓷结合，成本相对较低，在一些对成本敏感的应用中使用较多。 键合材料：键合线（金线、铝线、铜线 ）和键合焊接材料（如无铅锡膏、烧结银 ）。烧结银具有高导电性、高导热性和良好的机械稳定性，在高功率 IGBT 模块中逐渐得到广泛应用，可有效降低热阻和电阻，提高模块性能。 封装材料：包括绝缘材料（塑料、陶瓷 ）、散热材料（散热膏、散热垫 ）等。散热膏要求具有高导热性、低粘度、良好的填充性等特点，能有效填充芯片与散热器之间的微小间隙，增强热传导效率。 关键工艺 芯片贴装工艺：精确控制芯片贴装位置和压力，保证芯片与基板的良好接触和散热效果。对于共晶焊接工艺，要精准控制焊接温度、时间和气氛等参数，确保形成高质量的冶金结合。 键合工艺：准确控制键合参数（如键合温度、压力、超声功率、键合时间等 ），保证键合线与芯片电极和基板引脚之间的连接强度和电气性能。不同键合材料和键合方式对应的工艺参数有所差异，需要根据实际情况进行优化调整。 灌封或塑封工艺：灌封时要控制灌封材料的粘度、流动性和固化条件（温度、时间 ），确保灌封材料均匀填充内部空间，避免产生气泡等缺陷；塑封工艺要精确控制注塑模具的温度、压力和注塑速度等参数，保证封装外壳的尺寸精度和内部质量。