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AMB陶瓷基板的性能与应用

时间:2021-10-26 16:44来源:未知 作者:伟邦材料 点击:
随着功率器件,特别是第三代半导体器件的兴起和应用,半导体器件正逐步走向大功率、小型化、集成化和随着多功能的发展,对封装基板的性能也提出了更高的要求。陶瓷基板或陶瓷
随着功率器件,特别是第三代半导体器件的兴起和应用,半导体器件正逐步走向大功率、小型化、集成化和随着多功能的发展,对封装基板的性能也提出了更高的要求。陶瓷基板或陶瓷电路板具有导热性。率高、耐热性好、热膨胀影响系数低、机械设计强度高、绝缘性好、耐腐蚀和抗辐射等特点,在电子控制器件封装中得到广泛应用。陶瓷基板工艺有很多种,除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外,还有目前备受关注的AMB Active金属结合,或活性金属钎焊。

什么是活性金属钎焊技术?
AMB技术是指,在800℃左右的高温下,含有生物活性物质元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面进行润湿并反应,从而可以实现陶瓷与金属异质键合的一种传统工艺信息技术。AMB陶瓷基板,一般是这样学生制作的:首首先用丝网印刷法在陶瓷板表面涂覆活性金属焊料,然后夹上无氧铜层。进行研究高温焊接,然后刻蚀出图形设计制作一个电路,最后再对表面图形数据进行化学镀。

磁性陶瓷基板的技术特性
Amb 技术是基于 dbc (直接连接铜)技术,采用AMB工艺制备的陶瓷基板不仅具有较高的导热系数和较好的铜层附着力,而且还有热阻更小、可靠性更高等教育优势。
  Amb 陶瓷基板按材料分类
根据陶瓷材质的不同,目前成熟应用的AMB陶瓷基板可分为:氧化铝、氮化铝和氮化硅基板。
AMB氧化铝基板
   相对地,氧化铝板材主要来源可以广泛、成本管理最低,是性价比最高的AMB陶瓷基板,工艺研究最为一个成熟。但由于氧化铝陶瓷的热导率低、散热能力有限,AMB氧化铝基板多用于功率密度不高且对可靠性没有严格要求的领域。
AMB氮化铝基板
铝基板具有较高的散热能力,更适合于大功率、大电流的工作环境。但从那以后。.铝合金覆铜板的机械强度较低,高低温循环冲击寿命有限,限制了其应用。
3.3 AMB氮化硅材料基板
Si _ 3n _ 4陶瓷具有 α-si _ 3n _ 4和 β-si _ 3n _ 4两种晶型,α 相在高温下不稳定,易转化为稳定相定的 β 相。高导热氮化硅陶瓷内 β 相的含量一般大于40%。凭借氮化硅陶瓷的优异特性,AMB氮化硅基板之间有着非常优异的耐高温以及性能、抗腐蚀性和抗氧化性。
AMB氮化硅材料基板之间具有高热导率。一方面,amb 氮化硅衬底具有较高的热导率(> 90w/mk) ,厚铜层(高达800m)具有较高的热容量和热传递。因此,对于要求高可靠性、散热和局部放电的汽车、风力涡轮机和牵引系统。和高压控制直流系统传动技术装置等来说,AMB氮化硅基板可谓其首选的基板进行材料。活性金属钎焊,另一方面,焊接非常厚的铜(厚度达0.8毫米)相对薄氮化硅陶瓷上。因此,载流能力较高,而且传热性也非常好。客户可自定义产品布局,这一点类似于

PCB电路板。
AMB氮化硅基板之间具有使用低热膨胀风险系数。氮化硅纳米陶瓷的热膨胀影响系数(2.4 ppm/K)较小,与硅芯片(4 ppm/K)接近,具有一个良好的热匹配性因此,amb 氮化硅衬底,非常适合裸芯片的可靠封装,封装元件在产品生命周期中不易失效。电磁轴承陶瓷基板的可靠性分析在设计新的电源管理模块时,根据数据封装方式的要求,模块工程师发展需要我们选择一个合适的基板材料,并对基板考虑了复合材料的电性能、热性能、力学性能和可靠性。研究表明,电力设备的失效原因大多与电力设备的损坏有关由于热量不能及时散发,陶瓷基板的热性能对功率器件的可靠性至关重要。AMB衬底的可靠性。性很大程度上发展取决于活性钎料成分、钎焊工艺、钎焊层组织管理结构等诸多问题关键影响因素。
   影响AMB陶瓷基板可靠性分析指标的制程技术因素和测试环境因素磁悬浮陶瓷基片机械应力影响分析及热震分析
机械应力分析:陶瓷是脆性材料,在应力条件下容易疲劳断裂。由于铜和陶瓷的CTE不匹配问题产生的内应力内应力主要集中在铜边和陶瓷接头处裂缝比尖角更容易出现。dimple可起到降低热应力以及缓解社会作用,可以10x提升作为基板的可靠性热冲击测试基本信息:注意温差和转换时间- 55 ° c ~ 150 ° c,热冲击一般来说,热冲击试验比热循环试验更为严格;一般来说,液体测试比气体测试更严格。

AMB陶瓷基板的应用
与DBC陶瓷基板相比,AMB陶瓷基板具有一个更高的结合工作强度和冷热循环经济特性。目前,随着电子技技术的高速发展,大功率器件控制模块对高速铁路 igbt 模块封装的关键材料——陶瓷复合铜板形成了一个巨大的需求巨大,尤其是AMB基板已逐渐成为主流应用。日本京瓷采用生物活性金属进行焊接技术工艺方法制备出了氮化硅陶瓷覆铜基板,其耐温度可以循环(-40~125 ℃)达到5 000 次,可承载大于300 A 的电流,已用于电动汽车、航空航天等领域。特别是,该产品采采用活性金属焊接工艺将多层无氧铜与氮化硅陶瓷结合,铜柱垂直焊接,实现了 igbt 的互连模块小型化、高可靠性等要求有较好的推动作用。另外,在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色发展建筑、新能源技术装备、电动控制汽车、轨道进行交通等重要领域,amb 基板也开始得到越来越多的应用。
(责任编辑:vbond)
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