宽禁带半导体封装材料的颠覆性创新与产业化路
随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件向高压大电流方向发展，传统封装材料面临根本性挑战。本文将深入剖析五大材料创新方向及其产业化突破点。 1. 超高热导界面材料 - 定向排列金......更多
2025-05-27
高密度集成封装材料在智能功率模块中的创新实
随着电动汽车和可再生能源的爆发式增长，智能功率模块（IPM）对封装材料提出了更高要求。本文将系统阐述最新高密度集成封装材料的技术突破及其产业化应用成果。......更多
IGBT封装材料技术演进与未来趋势
随着碳中和战略的全球推进，IGBT作为能源转换的核心器件，其封装材料技术正迎来新一轮升级。本文将剖析当前主流技术路线，并展望未来五年发展趋势。......更多
2025-05-23
第三代半导体封装材料的革命性突破与产业化应
随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的快速发展，封装材料体系正经历前所未有的技术变革。本文将深度解析新一代封装材料的关键突破及其在高压大功率场景中的实践应用。......更多
先进封装材料在IGBT功率模块中的创新应用
随着电力电子设备向高功率密度方向发展，IGBT封装材料体系正经历革命性升级。......更多
2025-05-16
Miniled锡膏在先进显示封装中的关键技术突破
随着MiniLED显示技术向更小间距、更高亮度方向发展，专用锡膏材料成为决定封装良率和可靠性的核心要素。......更多
无铅锡膏在MiniLED封装中的技术革新与应用实践
随着全球环保法规日趋严格和显示技术不断升级，无铅锡膏在MiniLED封装领域正迎来爆发式增长。本文将深入分析新一代无铅锡膏的技术特点、工艺挑战及产业化应用现状。......更多
2025-05-06
贺利氏粗铝线在IGBT封装中的创新应用与性能突破
随着电力电子器件向高压大电流方向发展，传统键合技术面临严峻挑战。贺利氏粗铝线（直径300-500μm）凭借其卓越的导电性能和机械可靠性，正在成为大功率IGBT模块封装的关键互连材料......更多
