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与DBC陶瓷基板相比，AMB覆铜陶瓷基板具有更高的结合强度和热循环特性。目前，随着电力电子技术的快速发展，高铁大功率器件的控制模块对IGBT模块封装的关键材料有着巨大的需求，——陶瓷覆铜板，尤其是AMB基板逐渐成为主流应用。
氮化硅陶瓷覆铜基板采用活性金属焊接工艺制备，可承受5 000次温度循环(-40~125)，可承载300 A以上电流，已应用于电动汽车、航空航天等领域。特别是该产品采用活性金属焊接工艺粘接多层无氧铜和氮化硅陶瓷，采用铜柱焊接实现垂直互连，对IGBT模块小型化和高可靠性的要求有很好的促进作用。
此外，AMB基板在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源设备、电动汽车、轨道交通等重要领域的应用越来越多。
(责任编辑：vbond) |