纳米银烧结技术在第三代半导体功率模块封装中
随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件向高压高频方向发展，传统焊接材料已无法满足高温高功率密度封装需求。纳米银烧结技术凭借其卓越的导热性和高温可靠性，正成为第三代......更多
2025-06-03
AMB活性金属钎焊铜陶瓷基板在新能源汽车IGBT模块
AMB铜陶瓷基板凭借其不可替代的散热性能和可靠性，已成为新能源汽车IGBT模块的“黄金标准”。随着国产化进程加速和工艺优化，预计2025年全球市场规模将突破20亿美元，中国市场份额......更多
宽禁带半导体封装材料的颠覆性创新与产业化路
随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件向高压大电流方向发展，传统封装材料面临根本性挑战。本文将深入剖析五大材料创新方向及其产业化突破点。 1. 超高热导界面材料 - 定向排列金......更多
2025-05-27
高密度集成封装材料在智能功率模块中的创新实
随着电动汽车和可再生能源的爆发式增长，智能功率模块（IPM）对封装材料提出了更高要求。本文将系统阐述最新高密度集成封装材料的技术突破及其产业化应用成果。......更多
IGBT封装材料技术演进与未来趋势
随着碳中和战略的全球推进，IGBT作为能源转换的核心器件，其封装材料技术正迎来新一轮升级。本文将剖析当前主流技术路线，并展望未来五年发展趋势。......更多
2025-05-23
第三代半导体封装材料的革命性突破与产业化应
随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的快速发展，封装材料体系正经历前所未有的技术变革。本文将深度解析新一代封装材料的关键突破及其在高压大功率场景中的实践应用。......更多
先进封装材料在IGBT功率模块中的创新应用
随着电力电子设备向高功率密度方向发展，IGBT封装材料体系正经历革命性升级。......更多
2025-05-16
Miniled锡膏在先进显示封装中的关键技术突破
随着MiniLED显示技术向更小间距、更高亮度方向发展，专用锡膏材料成为决定封装良率和可靠性的核心要素。......更多
