AMB覆铜陶瓷基板对于电力电子元器件的重要性！
发布日期：2023-05-12 15:52 浏览次数：
许多固体电力电子设备包括大功率电力LED，物理和耐热陶瓷基材材料取决于射频/微波、电动汽车、电气基础设施和军事应用。与传热和导电金属相结合的这些结构陶瓷，有助于将热能传递给散热器。散热器可避免主要设备或部件的主动区域，并将电力电子设备与接地屏蔽层和外壳绝缘。
广泛的基板生产技术和预处理可以进行，因为固态电力电子设备和零部件的多样化和应用。该技术包括几个最常见的讨论。AMB覆铜陶瓷基板的制造方法和预制步骤对满足广泛应用的高功率电子性能要求非常重要。以下详细描述了陶瓷材料选择对各种陶瓷基板制造工艺的影响。
一、活性金属钎焊（AMB）
对于固态电力电子设备和零件。AMB覆铜陶瓷基板选用真空钎焊工艺与瓷器结合的工艺金属箔（一般为铜）。AMB最常用的是银和铜，以及额外的钛或镓钎焊材料。AMB温度范围为800-1000℃，熔化温度一般比钎焊合金高50-100℃。AMB为防止高反应钎焊合金的化学作用，在真空或惰性气氛中制作覆铜陶瓷基板。
AMB覆铜陶瓷基板通常由氧化铝或氮化铝组成。AMB陶瓷基板可从比氮化铝中受益AMB由于氧化铝的高机械强度，厚铜箔层有助于防止金属和半导体CTE不匹配会损坏半导体。AMB覆铜陶瓷基板相比它较厚的铜能实现较大的载流能力，增加热扩散，可转化为较好的热控功率器件或较小的裸片尺寸。
另一种钎焊工艺是直接粘合铝（DBA），其实是铝硅（AISi）将厚铝箔粘在瓷器上的复合材料。虽然铝的传热和导电性小于铜，但在温度循环过程中，软铝箔对半导体芯片的物理应变较小。因此，铜泊DBC或AMB相比，DBA通常会经历更多的热循环。
