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IGBT模块介绍及提高IGBT封装要求

发布日期:2021-03-06 16:54 浏览次数:

IGBT是由双极晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOS)组成的复合全控电压驱动功率半导体器件。它不仅具有MOSFET器件驱动功率低、开关速度快的优点,而且具有双极器件饱和压降小、容量大的优点。因此,非常适合于600V及以上交流系统的应用。现在一般以IGBT模块的形式出现,或者在模块中集成门极驱动和保护电路,称为智能功率模块(IPM)。
随着科学技术的不断发展和能源的充分利用,要求器件具有更高的功率密度、更高的工作温度、更低的功率损耗和更快的开关速度。目前,基于硅(SI)材料的功率器件已不能满足更高的要求。碳化硅(SIC)和氮化镓(GAN)材料是第三代宽带隙半导体功率器件的代表材料,已广泛应用于电动汽车等领域。车载IGBT模块除了具有较高的性能和开关频率外,还应考虑负载、气候、振动等一系列环境因素。另外,根据国家规定,车用IGBT模块的寿命要求不低于15年。这一要求除了对芯片的性能提出了更高的要求外,对IGBT模块本身也提出了更高的要求,同时对IGBT封装也提出了更高的要求。